快科技12月11日消息，40年前，日本曾是全球半導體領域的領軍者。但近年來，日本的角色逐漸轉變?yōu)樵O備與材料供應商，在先進芯片工藝領域已沉寂多年，此前其本土生產的芯片工藝還停留在28nm及以上水平。

不過，如今日本芯片工藝有望實現(xiàn)從28nm到4nm的跨越。這一變化源于臺積電在日本投資的熊本二廠，該廠原計劃升級至6/7nm工藝，近期卻已停工。

此次停工并非臺積電暫停對日本的投資，而是為了升級工藝。由于當前6/7nm工藝需求較低，新建此類工廠可能加劇產能過剩，因此有消息人士透露，臺積電計劃將二期工廠直接升級至4nm工藝，以滿足當下AI芯片的龐大需求。

針對這一消息，臺積電今日回應稱，公司不評論市場傳聞或臆測，在日本的項目仍在持續(xù)推進中。

盡管臺積電表示在日本的投資會繼續(xù)，但實際上，不僅二期工廠暫停建設，此前已建成的一期工廠也暫停了擴產計劃。一期工廠主要生產40/28nm以及16/12nm工藝的芯片產品，原計劃2026年新增設備，不過現(xiàn)在臺積電已告知設備供應商，明年全年都沒有增加設備的安排。

然而，二期工廠若要升級至4nm工藝并非易事。4nm工藝需要EUV光刻設備，這不僅會增加投資成本，相關廠商的設計等環(huán)節(jié)也需做出調整。

因此，二期工廠還有另一種可能性——改建成先進封裝工廠。當前AI芯片對CoWoS封裝的需求極高，而此前CoWoS芯片封裝主要集中在臺積電本土工廠，若在日本擴產CoWoS封裝產能，也有助于緩解AI芯片產能不足的問題。

目前，最終方案尚未確定，但無論臺積電選擇哪種方案，都將推動日本在先進芯片工藝及封裝領域向前邁出重要一步。

本文僅代表作者觀點，版權歸原創(chuàng)者所有，如需轉載請在文中注明來源及作者名字。

免責聲明：本文系轉載編輯文章，僅作分享之用。如分享內容、圖片侵犯到您的版權或非授權發(fā)布，請及時與我們聯(lián)系進行審核處理或刪除，您可以發(fā)送材料至郵箱：service@tojoy.com