近日，由“創(chuàng)·在上?！眹H創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽組委會指導、上海市科技創(chuàng)業(yè)中心主辦的2025“創(chuàng)·在上?！眹H創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽總決賽圓滿結束。本次大賽圍繞“更深更廣挖掘培育硬核科技初創(chuàng)項目，助力上海打造全球科技型初創(chuàng)企業(yè)首選地”的核心目標，吸引了全市眾多優(yōu)質創(chuàng)新主體參與。

嘉定區(qū)推薦的企業(yè)表現出色，其中3家企業(yè)進入初創(chuàng)組20強，1家企業(yè)入圍成長組10強。經過總決賽路演環(huán)節(jié)的激烈角逐，這些企業(yè)憑借領先的技術水平、創(chuàng)新的商業(yè)模式和強勁的發(fā)展?jié)摿Γ搏@得企業(yè)組一等獎1項、二等獎1項、三等獎2項，為嘉定區(qū)的科技創(chuàng)新發(fā)展增添了重要成果。

上海朗矽科技有限公司憑借“面向高性能芯片電源完整性的系列化低阻抗超薄高密度硅電容”項目榮獲初創(chuàng)組一等獎。

朗矽科技是一家專注于高性能芯片配套硅電容技術的高科技企業(yè)，依托前沿的技術突破和精準的國產替代市場定位，在半導體與集成電路領域迅速崛起。

該公司主要致力于解決AI、CPU、GPU等高性能芯片的電源完整性與瞬態(tài)抑制問題。其自主研發(fā)的低阻抗、超薄、高密度硅電容系列產品，采用三維溝槽陣列與高k介質材料等創(chuàng)新技術，實現了1.5μF/mm2的容值密度，成功打破了國外企業(yè)（如Empower）在該領域的壟斷局面。2024年，公司多次公開“芯片供電裝置”等核心專利，進一步提升了芯片供電效率。與傳統(tǒng)MLCC相比，其產品在容值密度、高頻性能和封裝厚度等方面具有顯著優(yōu)勢。

3D結構硅電容

上海易微達光電科技有限公司的“面向廣泛應用的新一代硅光集成平臺”項目獲得初創(chuàng)組三等獎。

易微達光電的核心產品為硅光芯片，主要包括硅基芯片和激光器芯片。公司擁有硅基芯片和激光器芯片設計的獨特技術經驗，同時其獨創(chuàng)的鍵合工藝技術能夠實現硅光芯片中元件的低成本、高良率高度集成。此外，借助全新的硅光技術平臺，公司不僅可為客戶提供硅光芯片，還能提供相應的PDK、設計服務、流片服務等一站式解決方案，全面賦能硅光領域的相關應用場景。

臻芯龍為（上海）半導體材料有限公司的“半導體級6N高純石墨物理法提純工藝及全自主生產線研發(fā)”項目榮獲初創(chuàng)組三等獎。

臻芯龍為采用全球首創(chuàng)的超高溫物理法連續(xù)提純技術（溫度超過3400°C），成功攻克了困擾全球科學界和工程界數十年的工程載體難題。該技術通過構建懸浮溫場，在保證穩(wěn)定運行的同時實現連續(xù)生產，產能達到傳統(tǒng)工藝的8倍，還被評為長三角顛覆性技術材料組的唯一金獎。這一顛覆性技術不僅實現了相關材料的國產替代，還通過工藝革新大幅提高了碳化硅長晶的材料利用率，推動下游襯底企業(yè)的毛利率翻倍增長，從根本上緩解了第三代半導體材料成本過高的產業(yè)困境。

上海延目光電技術有限公司的“面向多維感知的寬譜智能超構材料微系統(tǒng)研發(fā)及產業(yè)化”項目獲得成長組二等獎。

延目光電建立了Φ2000mm大口徑超表面批量化制造流程，單片產品良率達100%，批量生產周期少于10天。公司首創(chuàng)大/小尺寸去除函數組合濾波方法，將納米級紋理化制備與宏觀面形修正相結合，實現了復雜周期超構紋理與整體光學面形在單臺設備上的同步加工，加工效率較傳統(tǒng)分步工藝提升40%。通過高速數據反饋與加工頭聯(lián)動，公司實現了“納米精度—秒級修正”的閉環(huán)加工，使迭代周期縮短50%。此外，公司提出“超表面微結構/CMOS傳感器/高性能計算芯片”三層異構堆棧封裝技術，通過高密度封裝實現了光學微結構與數字處理的高密度耦合。

未來，嘉定區(qū)將繼續(xù)優(yōu)化科技創(chuàng)新生態(tài)環(huán)境，為科技企業(yè)搭建“成長快車道”，提供政策支持、資源對接、場景賦能等全鏈條服務，助力更多硬核科技項目在嘉定落地發(fā)展、發(fā)展壯大，為上海建設具有全球影響力的科技創(chuàng)新中心貢獻持續(xù)的“嘉定力量”。

編輯：徐宇

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原標題：《喜報！嘉定4家企業(yè)實力出圈》

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